Cформированы структуры \"нанокристаллы в SiO[2]\". Подтверждно формирование массивов нанокристаллов на основе цинка и олова в матрице диоксида кремния. Размеры преципитатов варьируют от 5 до 20 нм в зависимости от режима имплантации и отжига. Для получения слоев нанопористого диоксида кремния структуры SiO[2]/Si облучены ионами Xе и обработаны в разбавленном растворе фтористоводородной кислоты.