Разработаны условия формирования фронтальной конструкции многослойного фотоэлемента на основе теллурида кадмия, проведен анализ структуры и фазового состава базового слоя и его фотоэлектрических свойств. Отработаны условия формирования и перекристаллизации базового слоя, исследованы его структура, фазовый состав и физические свойства до и после термообработки. Определены условия хлоридной и термической обработки базового слоя. После перекристаллизации увеличен размер структурных частиц и уменьшена шероховатость поверхности базового слоя. На спектрах отражения зафиксированы две области резкого уменьшения отражения, связанные с поглощением света. Интервал фоточувствительности составляет 0,55 - 0,95 мкм. Исследованы фотоэлектрические свойства фотоэлементов, сформированных при расширенной области гомогенности базового слоя. КПД преобразования солнечной энергии - 5,1%.