Методом термического оксидирования кремниевых подложек изготовлены структуры SiO2/Si с толщинами слоя диоксида кремния, по данным эллипсометрии, 40 и 600 нм. С использованием режимов, выбранных по данным моделирования, проведенного ранее, проведена высокодозная имплантация ионов Zn и Sn в образцы изготовленных структур SiO2/Si. Для формирования систем \"нанокристаллы в Si\" и \"нанокристаллы в SiO2\" проведены отжиги структур SiO2/Si, имплантированных высокими дозами ионов цинка и олова на воздухе или в атмосфере чистого кислорода в интервале температур 650 - 900 (градус) С. Данные просвечивающей электронной микроскопии подтвердили формирование в имплантированных слоях после термообработки нанокристаллических включений внедренной примеси. Размеры включений варьируют от 5 до 20 нм в зависимости от использованного режима имплантации и отжига. Методами резерфордовского обратного рассеяния, просвечивающей электронной и оптической микроскопии проанализирован элементный состав, морфология поверхности, структура имплантированных слоев, а также изменения, происходящие в имплантированных слоях под действием термообработки.