Фундаментальные физические основы управления эффектом электрической памяти в наноразмерных халькогенидных полупроводниках
Full Name of the work head: Лаврищев О.А.
Исполнители проекта: Приходько О.Ю., Козюхин С.А., Цэндин К.Д.
: Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики при КазНУ им. аль-Фараби
Inventory number: 0216РК01407
Registration number: 0115РК01236
Keywords: Модифицирование*Структура*Нанокластеры
Отработана технология получения модифицированных аморфных пленок халькогенидного стеклообразного полупроводника (ХСП). Изучена структура наноразмерных пленок, полученных методом ионно-плазменного напыления. Показано, что при лазерном облучении структура пленок ХСП с примесью висмута переходит из стеклообразного состояния в кристаллическое со стабильной гексагональной структурой без промежуточного метастабильного состояния с кубической структурой. Отмечена возможность управления полупроводниковыми свойствами ХСП путем изменения концентрации примеси висмута и толщины пленок. Изменяя характеристики неоднородностей (толщина, состав, модифицирование примесью металла), можно управлять эффектом памяти ХСП.
