Установлено влияние различных способов изготовления селенида кадмия и процессов на CdSe фотоаноде на эффективность фотоэлектрохимического преобразования солнечного и других видов излучения. Отмечено влияние добавок поверхностно-активных веществ (ПАВ) в электролит при осаждении CdSe на морфологию поверхности и фотосвойства полученных осадков. Изготовлены фотоаноды CdSe/(FTO/ стекло) с толщиной покрытия 680 нм, однородной структурой и фазовым составом, отвечающим единственной фазе CdSe. Получены значения ширины запрещенной зоны больше, чем для объемных образцов. Определена стабильность генерируемого фототока под действием излучения с длиной волны 465 нм в течение длительного времени.