Осуществлена модернизация установки магнетронного распыления МАГНА 200 с целью изменения режимов распыления и увеличения содержания азота в пленках нитрида титана. Сформированы тонкие слои силицидов титана в кремнии после осаждения тонких пленок титана и нитрида титана на поверхность кремния методом магнетронного распыления с последующим быстрым отжигом. Отработаны оптимальные режимы нанесения фоторезистивной маски и ее сушки, режимы длительности экспонирования и проявления, задубливания фоторезистивного слоя; режимы травления многослойных структур между проводящими дорожками химическими методами; режимы снятия фоторезистивной маски.