Разработка процессов формирования, управления размерами и формой металлических и полупроводниковых нанопреципитатов в слоях SiO2 и SiNx на Si при облучении быстрыми тяжелыми ионами для систем опто- и наноэлектроники
Руководитель проекта: Сыдыков Е.Б.
Исполнители проекта: Даулетбекова А.К., Жумадилов К.Ш., Акилбеков А.Т. и др.
Организация: Евразийский национальный университет им. Л.Н.Гумилева
Инвентарный номер: 0216РК00852
Регистрационный номер: 0115РК01384
Ключевые слова: Диэлектрики*кремний*ионно-лучевой синтез*нанокластеры*ионы*фотолюминесценция
Исследованы процессы создания нанокластеров Zn и Sn в диоксиде кремния на кремнии. Выявлено формирование мелких наноразмерных цинксодержащих кластеров. Предположена кристаллическая структура кластеров. Высокодозная имплантация при комнатной температуре также формирует слой с нанокластерами. термообработка приводит к увеличению размера нанокристаллитов. Отжиг образцов, имплантированных ионами Sn, приводит к формированию большого количества кластеров. Оценены плотность, средние размеры преципитатов и доза олова, входящего в преципитаты.