Разработка детекторов быстрых нейтронов на основе высокочистых эпитаксиальных слоев VPE GaAs и исследование их характеристик
Руководитель проекта: Лаврищев О.А.
Исполнители проекта: Буртебаев Н.
Организация: Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики при КазНУ им. аль-Фараби
Инвентарный номер: 0216РК00979
Регистрационный номер: 0115РК01174
Ключевые слова: протоны отдачи*хлоридная газофазная эпитаксия*гамма-кванты
Проведена характеризация поверхностно-барьерного VPE GaAs-сенсора. Измерены параметры переноса в рабочем слое детектора, спектральные характеристики сенсора на источниках ?-частиц и ?-квантов, эффективность сбора заряда, эффективность регистрации, порог регистрации протонов, соотношение сигнал/фон. Проведено моделирование характеристик детектора быстрых нейтронов в коде Geant 4 (версия 8.3).