Поведение неравновесных носителей заряда при внутризонном поглощении мощных коротких импульсов света в полупроводнике
Full Name of the work head: Кумеков С.Е.
Исполнители проекта: Г.С.Алтыбаев
: НИИ эксперим. и теорет. физ. при КазГУ
Inventory number: 0299РК00577
Registration number: 0197РК01295
Keywords: полупроводник, свет, поглощение, электроны, распределение,
Изучено влияние монохроматической интенсивной световой волны на энергетическое распределение электронов в зоне проводимости при внутризонном поглощении света в полупроводнике (арсениде галлия). Показано, что при определенных интенсивностях света и соотношениях энергий кванта света и оптического фотона формируется пикообразное распределение электронов по энергиям.
