Новый перспективный полупроводниковый материал для тонкопленочных фотоэлементов
Руководитель проекта: Журинов М.Ж.
Исполнители проекта: Дергачева М.Б., Гременок В.Ф., Гуделева Н.Н. и др.
Организация: Институт топлива, катализа и электрохимии им. Д.В.Сокольского
Инвентарный номер: 0215РК02263
Регистрационный номер: 0115РК01204
Ключевые слова: Тонкопленочные фотоэлементы*селениды цинка*селениды олова*электроосаждение
Исследованы селен, селениды олова, цинка, меди, композиция медь-цинк-олово. Предложена разработка методов изготовления материалов и использования тонких пленок полупроводникового соединения Cu[2]SnZn(S,Se)[4] как альтернативного поглощающего материала для солнечных элементов и модулей. Разработан метод изготовления подложек и исследованы их физические свойства. Для осуществления метода электроосаждения выполнено электрохимическое осаждение селена на электроды Mo/стекло. Разработан электрохимический способ осаждения соединений ZnSe и Zn[x]Se[1-x] на молибденовом электроде и на подложках стекло/Mo и стекло/SnO[2]. Разработан принципиально новый электрохимический способ осаждения пленок селенида олова в две стадии.