Исследованы тонкие слои SiC[x], полученные ионно-лучевыми методами. Изучено влияние обработки высокочастотной водородной плазмой тлеющего разряда (96 МГц, 20 Вт, 5 мин) в лабораторной установке, электронным пучком либо плазмой ионов аргона в электронно-лучевой установке \"ЭЛУ ТМ-5\" на параметры пластин монокристаллического кремния, пленок аморфного и монокристаллического карбида кремния. Получены сведения о радиационной стойкости тонких пленок и покрытий. При различных режимах магнетронного распыления осуществлено осаждение пленок SiC[x], коричневого цвета на кремний на установке Magna200 в плазме смеси Ar и приточного газа ацетилена (C[2]H[2] 0,5-0,9 л/ч) и получены сведения о плотности, толщине и составе пленок. Проведены исследования пленок SiC[0,12], содержащих нанокристаллы кремния и карбида кремния, с целью последующего использования для расширения области спектральной чувствительности кремниевого солнечного элемента. Изучено влияние высокотемпературного изотермического отжига на процессы кристаллизации и формирование нанокристаллов кремния и карбида кремния с целью выявления оптимальной продолжительности термообработки. Осуществлен синтез эпитаксиальных пленок карбида кремния методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния и исследованы их свойства. Разработана технология синтеза твердых радиационно-стойких покрытий SiC (оконный слой, антиотражающий слой) с целью использования при создании тонкопленочных солнечных элементов, предназначенных для работы в агрессивной среде космического пространства. Установлено, что данные пленки SiC, увеличивают КПД солнечных элементов в 1,3 раза.