Исследованы наноразмерные пленки халькогенидного стеклообразного полупроводника (ХСП) состава GeSbTe225. Рассмотрена технология получения наноразмерных пленок состава GeSbTe225 методом ионно-плазменного распыления, исследованы их электронные свойства и процессы шнурования тока при записи информации. Выявлены основные закономерности по влиянию размерного эффекта на оптические и электрические свойства и эффект переключения в наноразмерных пленках GeSbTe225. Установлено, что основные полупроводниковые характеристики и параметры эффекта переключения наноразмерных пленок GeSbTe225 существенно зависят от толщины пленок в области от 50 до 100 нм. На основе теории шнурования тока при эффектах переключения и памяти получены теоретические зависимости характеристик шнуров тока от времени, напряжения, размеров образца, энергий ионизации U-минус центров, неоднородности образцов и от их толщины.