Разработка методов получения тонких пленок и слоев оксидных полупроводников
Full Name of the work head: Зейнуллин А.А.
Исполнители проекта: Гриценко Л.В., Кумеков С.Е., Абдуллин Х.А., Мукаш Ж.О., Болатбекова А.Б.
: Казахский национальный исследовательский технический университет им. К.И.Сатпаева
Inventory number: 0215РК01016
Registration number: 0115РК00882
Keywords: Оксидные полупроводники*золь-гель метод*гидротермальный синтез*прозрачные проводящие покрытия*тонкие пленки*солнечные элементы
Рассмотрена разработка низкозатратных методов синтеза проводящих прозрачных пленок и наноструктур оксидных полупроводников. Отработаны низкозатратные золь-гель и гидротермальные методы синтеза проводящих прозрачных пленок оксида цинка, легированного бором или алюминием. Исследованы морфология, фотолюминесценция, оптические и электрические свойства полученных образцов. Синтезированные проводящие пленки BZO и AZO являются прозрачными и однородными по всей поверхности. Показано, что синтезированные проводящие пленки ВZO и АZO являются сплошными, с высоким коэффициентом прозрачности (80-90 %) и однородными по всей поверхности образца и что послеростовый отжиг в вакууме позволяет значительно улучшить электрические свойства, также уменьшить удельное сопротивление. Получены структуры \"оксид меди-оксид цинка\" на стеклянных подложках с нанесенным проводящим слоем методом электроосаждения трех видов: пленки Cu[2]O на наностержнях ZnO, структуры ядро ZnO - оболочка Cu[2]O и наночастицы Cu[2]O - наностержни ZnO. Определены технологические условия направленного формирования слоев с необходимой морфологией.