Разработка детекторов быстрых нейтронов на основе высокочистых эпитаксиальных слоев VPE GaAs и исследование их характеристик
Руководитель проекта: Лаврищев О.А.
Исполнители проекта: Буртебаев Н.
Организация: Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики при КазНУ им. аль-Фараби
Инвентарный номер: 0215РК00892
Регистрационный номер: 0115РК01174
Ключевые слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ БЫСТРЫХ НЕЙТРОНОВ*ПРОТОНЫ ОТДАЧИ*ХЛОРИДНАЯ ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ*ГАММА-КВАНТЫ*АРСЕНИД ГАЛЛИЯ*БАРЬЕР ШОТТКИ
Проведен сравнительный анализ конструкций полупроводниковых детекторов нейтронов, разработаны экспериментальные образцы VPE GaAs сенсоров протонов отдачи и исследование их характеристик. Получены результаты измерений электрофизических характеристик п/б VPE GaAs сенсора, разработаны схемы подключения разработанных детекторов к электронике съема, результаты определения эксплуатационных характеристик разработанных детекторов.