Разработка процессов формирования, управления размерами и формой металлических и полупроводниковых нанопреципитатов в слоях SiO[2] и SiN[x] на Si при облучении быстрыми тяжелыми ионами для систем опто- и наноэлектроники
Full Name of the work head: Сыдыков Е.Б.
Исполнители проекта: Даулетбекова А.К., Жумадилов К.Ш., Акилбеков А.Т., Альжанова А.Е., Власукова Л.А.
: Евразийский национальный университет им. Л.Н.Гумилева
Inventory number: 0215РК01863
Registration number: 0115РК01384
Keywords: диэлектрики кремниевые*ионный синтез кластеров*облучение быстрыми ионами*модель термического пика*фотолюминесценция
На основе анализа результатов моделирования выбраны режимы имплантации структур SiO[2]/Si. Проведена имплантация образцов SiO[2]/Si в выбранных режимах. В рамках модели термического пика рассчитаны радиус и время жизни расплавленной области, образующейся вдоль траектории иона ксенона с энергиями 65,5, 132 и 200 МэВ в матрицах SiO[2] и Si[3]N[4]. Данные расчетов использованы при выборе режимов облучения. Изучены излучающие и структурно-фазовые свойства образцов SiO[2]/Si и SiN[х]/Si с повышенным содержанием кремния в слое нитрида, облученных быстрыми ионами ксенона. Для облученных образцов SiO[2]/Si обнаружена интенсивная фотолюминесценция в видимом диапазоне с максимумом при 550 нм. Наблюдаемая люминесценция обусловлена радиационными дефектами в SiO[2] при облучении. Для структур SiN[х]/Si заметных изменений светоизлучающих свойств после облучения не зарегистрировано. Изучена морфология вытравленных треков в слоях аморфного SiO[2] на Si. Показана доза использования позволяющая создавать систему каналов практически одинакового размера и правильной формы.
