На основе анализа результатов моделирования выбраны режимы имплантации структур SiO[2]/Si. Проведена имплантация образцов SiO[2]/Si в выбранных режимах. В рамках модели термического пика рассчитаны радиус и время жизни расплавленной области, образующейся вдоль траектории иона ксенона с энергиями 65,5, 132 и 200 МэВ в матрицах SiO[2] и Si[3]N[4]. Данные расчетов использованы при выборе режимов облучения. Изучены излучающие и структурно-фазовые свойства образцов SiO[2]/Si и SiN[х]/Si с повышенным содержанием кремния в слое нитрида, облученных быстрыми ионами ксенона. Для облученных образцов SiO[2]/Si обнаружена интенсивная фотолюминесценция в видимом диапазоне с максимумом при 550 нм. Наблюдаемая люминесценция обусловлена радиационными дефектами в SiO[2] при облучении. Для структур SiN[х]/Si заметных изменений светоизлучающих свойств после облучения не зарегистрировано. Изучена морфология вытравленных треков в слоях аморфного SiO[2] на Si. Показана доза использования позволяющая создавать систему каналов практически одинакового размера и правильной формы.