Объект исследования: полупроводниковые материалы А3В5, пленки аморфного кремния. Рассмотрены процессы деградации затравочных подложек соединений А3В5 при отделяемом росте монокристаллических пленок. Определены оптические и электрические свойства пленок аморфного гидрогенизированного и пористого кремния, выращенных в тлеющем разряде постоянного тока. Установлены: влияние состава жидкой фазы на кинетику релаксации; ориентационная зависимость деградации подложек GaB5; возможность легирования пленок с использованием альтернативных газов, содержащих В и Р. Область применения: физика полупроводников и аморфных материалов.