Поведение неравновесных носителей заряда при внутризонном поглощении мощных коротких импульсов света в полупроводнике
Full Name of the work head: Кумеков С.Е.
Исполнители проекта: Г.С.Алтыбаев
: НИИ эксперим. и теорет. физ. при КазГУ
Inventory number: 0298РК00657
Registration number: 0197РК01295
Keywords: полупроводники, свет, поглощение, электроны, распределение, исследование,
Изучено влияние монохроматической интенсивной световой волны на энергетическое распределение электронов в зоне проводимости при внутризонном поглощении света в арсениде галлия. Показано, что при определенных интенсивностях света и соотношениях между энергией кванта и оптического фонона формируется распределение электронов по энергиям, имеющее форму пика. Энергетическое положение пика зависит от интенсивности света и может принимать значение от нуля до энергии оптического фонона.
