Фундаментальные основы электрохимических процессов при электроосаждении многокомпонентных полупроводников
Full Name of the work head: Журинов М.Ж.
Исполнители проекта: Дергачева М.Б.
: Институт топлива, катализа и электрохимии имени Д.В.Сокольского
Inventory number: 0215РК00652
Registration number: 0115РК02732
Keywords: электрохимия*электроосаждение*полупроводники*тонкие пленки*медь*индий*галлий*диселенид*солнечные элементы
Рассмотрены фундаментальные основы электрохимических процессов при электроосаждении многокомпонентных полупроводников. Исследовано электрохимическое поведение ионов в новых электролитах, содержащих лиганды в виде цитрат ионов, а также влияние процессов комплексообразования на электрохимическое поведение ионов Cu(II), In(III), Ga(III). Разработан новый состав электролита с рН=3,10, обладающий меньшей коррозионной активностью по отношению к осажденному соединению, чем сернокислые электролиты. Показано, что электроосаждение тройного соединения медь-индий-селен включает три различные стадии, протекающие при изменении потенциала электрода от 0 до -800мВ: электровосстановление Cu{2+}, электровосстановление Se{+4} с образованием соединения Cu[2]Se, восстановление ионов индия на этом прекурсоре. Показано, что ионы индия участвуют в процессах восстановления в присутствии ионов меди и селена при потенциалах более положительных, чем его собственный потенциал восстановления на этих электродах.