Направленное воздействие на излучательную релаксацию электронных возбуждений с целью улучшения люминесцентных характеристик функциональных материалов на базе щелочногалоидных кристаллов
Full Name of the work head: Шункеев Куанышбек Шункеевич
Исполнители проекта:
: НАО "Актюбинский региональный университет имени К. Жубанова" Министерства образования и науки РК
Inventory number: 0220РК01606
Registration number: 0120РК00226
Keywords: люминесценция,щелочногалоидный кристалл,одноосная упругая деформация,сцинтиллятор,экситон,электронно-дырочная пара,излучательная релаксация электронных возбуждений
Целью проекта является улучшение люминесцентных характеристик щелочногалоидных кристаллов путем прямого воздействия деформации, понижающей симметрию кристаллической решетки, на предраспадные излучательные состояния электронных возбуждений. Одноосная деформация осуществляется механически вдоль кристаллографических направлений <100> и <110>, а локальная деформация решетки – введением в матрицу точечных структурных дефектов (легкие катионы-гомологи и вакансии).
