В рамках теории функционала электронной плотности, метода неравновесных гриновских функций (DFT+NEGF) и других методов численного моделирования: подбор наноструктур с уникальными функциональными свойствами для создания эффективных наноустройств; на их основе создание различных моделей наноустройств – нанодиоды, нанотранзисторы, нанопереключатели и другие; исследование квантово-транспортных характеристик наноустройств, изучение их электрических и магнитных свойств