Дизайн и модификация полупроводниковых материалов на основе Казахстанского галлия для использования в светотехнических технологиях.
Full Name of the work head: Сугурбекова Гулнар Калменовна
Исполнители проекта:
: Частное учреждение "National Laboratory Astana"
Inventory number: 0219РК00214
Registration number: 0118РК01027
Keywords: галлий,нитрид галлия, атомно-слоевое осаждение, модификация структур, светопоглощение,электропроводность,оптический коэффициент пропускания
Получение полупроводниковых материалов и их модификаций на основе Казахстанского сырья для использования в светотехнических технологиях. Для реализации поставленных целей необходимо решить задачи второго 2019 года:
2. Модификация структур на основе нитрида галлия и изучение влияния легирования на электрофизические и оптические свойства материалов.
2.1 Синтез прозрачных проводящих оксидов (ZnO)
2.2 Интерпретация экспериментальных данных, оформление отчетов, написание статей.
