Разработка технологий получения пленок пористого кремния, монокристаллического арсенида галлия, алмазоподобных пленок углерода и создание приборных структур на их основе
Full Name of the work head: Таурбаев Т.И.
Исполнители проекта: Антощенко В.С.
: НИИ эксперим. и теорет. физ. при КазГУ
Inventory number: 0299РК00049
Registration number: 0199РК00034
Keywords: полупроводниковые, материалы, получение, технологии, разработка,
Объект исследования: полупроводниковые материалы А3В5. Изучены растворимость GaAs в расплаве Bi-Al, структура и состав углеродных образований на границе с кремнием. Получены: экспериментальные точки ликвидуса в системе Bi-Al-Ga-As в области неустойчивого фазового равновесия; пленки GaAsBi, отделенные от затравочной подложки и пригодные для самостоятельного использования; алмазоподобные пленки углерода методом магнетронного распыления графитовой мишени. Опробован способ получения пористого кремния - химическое травление в красящих травителях. Область применения: физика и технология полупроводниковых приборов.
