Объект исследования: полупроводниковые материалы А3В5. Изучены растворимость GaAs в расплаве Bi-Al, структура и состав углеродных образований на границе с кремнием. Получены: экспериментальные точки ликвидуса в системе Bi-Al-Ga-As в области неустойчивого фазового равновесия; пленки GaAsBi, отделенные от затравочной подложки и пригодные для самостоятельного использования; алмазоподобные пленки углерода методом магнетронного распыления графитовой мишени. Опробован способ получения пористого кремния - химическое травление в красящих травителях. Область применения: физика и технология полупроводниковых приборов.