Cинтез нанокристаллов в трековых темплэйтах SiO2/Si для сенсорных, нано - и оптоэлектронных применений
Руководитель проекта: Даулетбекова Алма Кабдиновна
Исполнители проекта:
Организация: Некоммерческое акционерное общество "Евразийский Национальный университет имени Л.Н. Гумилева"
Инвентарный номер: 0218РК01041
Регистрационный номер: 0118РК00618
Ключевые слова: Трековый темплэйт SiO2/Si,трек,быстрый тяжелый ион,полупроводники A2B6,электрохимическое осаждение,термообработка,люминесцентные свойства,структурные свойства,электрофизические свойства
Разработать процессы формирования наноразмерных кристаллитов прямозонных полупроводников A2B6 (ZnSe, ZnO, CdSe, CdTe), а также нанокластеров Cd, Se, Te на основе трековых тэмплэйтов а- SiO2/Si методами темплэйтного синтеза и последующих высокотемпературных термообработок для сенсорных, нано - и оптоэлектронных применений, с базой данных об их люминесцентных, структурных, электрофизических свойствах.
