Использование DFTB метода для моделирования влияния дипольного момента и формы наноразмерных кластеров CdS на электронные переходы в них
Руководитель проекта: Алдонгаров Ануар Акылханович
Исполнители проекта:
Организация: Некоммерческое акционерное общество "Евразийский Национальный университет имени Л.Н. Гумилева"
Инвентарный номер: 0218РК00831
Регистрационный номер: 0118РК00624
Ключевые слова: кластеры CdS,DFT метод,DFTB метод,дипольный момент,электронные возбуждения,квантово-размерный эффект
Метод функционала плотности (DFT) а также приближенный DFT метод с сильным связыванием (DFTB) будут использованы для получения структурно оптимизированных полупроводниковых наночастиц CdS, для которых электронные структуры (включая заряды и дипольные моменты) и оптические возбуждения будут посчитаны.