Методами растровой электронной микроскопии и профилометрирования поверхности облученных -частицами образцов меди изучены гелиевое распухание и пористость при послерадиационных отжигах в температурном интервале 0,5-0,9 Тпл. Установлено, что с увеличением температуры и дозы облучения увеличиваются распухание и средний размер гелиевых пор, в то время как количество пор уменьшается. Изменение распухания в гелиевом слое подчиняется нормальному распределению. Рассчитаны упругие поля напряжений, возникающие при ионной имплантации и последующих термических отжигах. Проведено сравнение радиационной ползучести и термической внереакторной ползучести при приложенных нагрузках, близких к пределу текучести высоконикелевого сплава 03Х20Н45М4БРЦ.