Теория электрохимического осаждения как основа создания новой технологии получения гетероструктурных полупроводниковых композиций и электродных материалов
Full Name of the work head: Дергачева М.Б.
Исполнители проекта: Стацюк В.Н.
: Ин-т орган.катализа и электрохим.им.Д.В.Сокольского
Inventory number: 0298РК00245
Registration number: 0197РК00494
Keywords: полупроводники, электроосаждение, закономерности, влияние,
Объект исследования: полупроводниковые пленки кадмий-ртуть-теллур, электродные материалы (титан, никель, стеклоуглерод, ртуть, сульфид кадмия, платина, стекло, покрытое пленкой SnOx). Выявлены закономерности электроосаждения полупроводников на твердых (титан, никель, стеклоуглерод) и ртутном капающем электродах. Определена связь условий электроосаждения со структурными и поверхностными свойствами. Обнаружены новые формы катодного электрического сигнала на твердых электродах. Установлено влияние поверхностных форм интерметаллических соединений на электроосаждение.
