Шыны-кристалл күйлердегі фазалық жады бар металмен модификацияланған халькогенидті жартылай өткізгіш наноөлшемді қабыршақтардың құрылымы мен электрлік қасиеттері
Full Name of the work head: Приходько Олег Юрьевич
Исполнители проекта: Приходько О.Ю., Максимова С.Я.., Исмайлова Г.А., Сагидолда Е., Кудряшов В.В. Толепов Ж.К., Турманова К.Н., Жакыпов А.С.
: Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики Казахский национальный университет им. Аль-Фараби
Inventory number: 0218РК00442
Registration number: 0118РК01188
Keywords: Халькогенидные стеклообразные полупроводники, наноразмерные пленки, модифицирование, структура, оптические и электрические свойства, нанокластеры, эффект переключения и памяти
"Объекты исследования: Модифицированные примесью Ag наноразмерные пленки халькогенидного полупроводника (ХП) состава Ge2Sb2Te5.
Цель работы. Отработка технологии получения наноразмерных модифицированных примесью Ag пленок Ge2Sb2Te5 методом ионно-плазменного магнетронного высокочастотного сораспыления и изучение их структуры в аморфном и кристаллическом состоянии при фазовом переходе «стекло-кристалл».
Методы исследования: EDS, СЭМ, ПЭМВР, КРС.
Полученные результаты. Модифицирование наноразмерных пленок состава Ge2Sb2Te5 примесью Ag приводит к существенному увеличению температуры фазового перехода до 280оС практически по линейному закону, что открывает перспективы для получения ячеек фазовой памяти с заданными характеристиками. Установлено, что при кристаллизации аморфных пленок Ge2Sb2Te5
их структура переходит из аморфного состояния в поликристаллическое со стабильной гексагональной структурой. Новизна исследований заключается в проведении комплексного исследования структуры модифицированных примесью Ag наноразмерных пленок Ge2Sb2Te5, полученных методом ионно-плазменного магнетронного ВЧ распыления, при фазовом переходе «стекло-кристалл».
Степень внедрения. Опубликованы 4 печатные работы, из них 2 статьи в журналах из перечня ККСОН КН, и 2 публикации в материалах международных конференции.
Эффективность. Показаны перспективы по получению ячеек памяти на основе наноразмерных пленок Ge2Sb2Te5 с заданными характеристиками.
Область применения. Наноэлектроника и электрическая и оптическая запись информации. "
