"Объекты исследования: Модифицированные примесью Ag наноразмерные пленки халькогенидного полупроводника (ХП) состава Ge2Sb2Te5. Цель работы. Отработка технологии получения наноразмерных модифицированных примесью Ag пленок Ge2Sb2Te5 методом ионно-плазменного магнетронного высокочастотного сораспыления и изучение их структуры в аморфном и кристаллическом состоянии при фазовом переходе «стекло-кристалл». Методы исследования: EDS, СЭМ, ПЭМВР, КРС. Полученные результаты. Модифицирование наноразмерных пленок состава Ge2Sb2Te5 примесью Ag приводит к существенному увеличению температуры фазового перехода до 280оС практически по линейному закону, что открывает перспективы для получения ячеек фазовой памяти с заданными характеристиками. Установлено, что при кристаллизации аморфных пленок Ge2Sb2Te5 их структура переходит из аморфного состояния в поликристаллическое со стабильной гексагональной структурой. Новизна исследований заключается в проведении комплексного исследования структуры модифицированных примесью Ag наноразмерных пленок Ge2Sb2Te5, полученных методом ионно-плазменного магнетронного ВЧ распыления, при фазовом переходе «стекло-кристалл». Степень внедрения. Опубликованы 4 печатные работы, из них 2 статьи в журналах из перечня ККСОН КН, и 2 публикации в материалах международных конференции. Эффективность. Показаны перспективы по получению ячеек памяти на основе наноразмерных пленок Ge2Sb2Te5 с заданными характеристиками. Область применения. Наноэлектроника и электрическая и оптическая запись информации. "