Проведен поиск режимов имплантации и отжига, оптимальных для синтеза в имплантированных слоях нанокристаллов АВ. Проведено моделирование высокодозной имплантации ионов Zn, Se и S в структуры SiO[2]/Si со слоем оксида различной толщины. Были выбраны режимы ионной имплантации и проведена тройная имплантация Zn, Se и S в выбранных режимах. После имплантации был проведен отжиг экспериментальных образцов при температуре 900 град С в течение 30 минут в атмосфере аргона. Для исследования распределения внедренных примесей в матрице диоксида кремния и структурно-фазового состава имплантированных нитридных слоев использованы методы Резерфордовского обратного рассеяния, вторичной ионной масс-спектрометрии и комбинационного рассеяния света. *