Исследованы процессы дефектообразования в материалах электронной техники, подвергнутых воздействию радиации. Проведено компьютерное моделирование процессов накопления точечных дефектов и их комплексов в материалах электронной техники, полученных методами кинетического описания, крупных частиц и молекулярной динамики. Результаты моделирования показали достаточно хорошую приемлемость метода кинетических уравнений по сравнению с методами крупных частиц и молекулярной динамики. Выявлена проблема выбора значения E[m]{v} среди множества величин, полученных экспериментальным и теоретическим, а также вычислительными методами. Предложен новый метод определения потенциала межатомного взаимодействия. С использованием нового потенциала межатомного взаимодействия определены энергии миграции вакансий в ГЦК металлах и установлено, что вычисленные значения в большей степени соответствуют экспериментальным данным по сравнению со значениями, вычисленными на основе других потенциалов. Полученные результаты являются новыми.*