Получение и исследование нитридгаллиевых светодиодных структур, сформированных нитридизацией нанопористого GaAs или GaP методом ионной имплантации
Full Name of the work head: Габдуллин М.Т.
Исполнители проекта: Диханбаев К.К.*
: Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа при КазНУ им. аль-Фараби
Inventory number: 0214РК01938
Registration number: 0112РК02565
Keywords: нитрид галлия*фосфид галлия*ионная имплантация*светодиодные структуры*
Разработан альтернативный метод нитрида галлия на поверхности пористого фосфида галлия путем ионной имплантации атомов азота. Проведен анализ элементного состава созданных галлийнитридных структур. Показано, что образование нитридных связей происходит в приповерхностном слое, что обеспечивает равномерный тонкий слой нитрида галлия. Получен профиль распределения примеси имплантированного азота, с ростом пучка ионного потока возрастает концентрация примеси азота, а также глубина проникновения в подложку. Собрана магнетронная СВЧ печь, для формирования качественного светодиода нитрида галлия.*
