Разработан альтернативный метод нитрида галлия на поверхности пористого фосфида галлия путем ионной имплантации атомов азота. Проведен анализ элементного состава созданных галлийнитридных структур. Показано, что образование нитридных связей происходит в приповерхностном слое, что обеспечивает равномерный тонкий слой нитрида галлия. Получен профиль распределения примеси имплантированного азота, с ростом пучка ионного потока возрастает концентрация примеси азота, а также глубина проникновения в подложку. Собрана магнетронная СВЧ печь, для формирования качественного светодиода нитрида галлия.*