Разработка фундаментальных физических подходов для получения наноразмерных ячеек памяти с новыми свойствами для записи информации на основе модифицированных халькогенидных стеклообразных полупроводников
Full Name of the work head: Лаврищев О.А.
Исполнители проекта: Приходько О.Ю.*
: Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики при КазНУ им. аль-Фараби
Inventory number: 0214РК02781
Registration number: 0112РК02877
Keywords: халькогенидные стеклообразные полупроводники*синтез*термическое испарение*ионно-плазменное распыление*модифицированные наноразмерные пленки*
Исследованы модифицированные примесями Be, Cu и Sn сплавы и наноразмерные пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) состава Ge[2]Sb[2]Te[5]. Выявлены основные закономерности по влиянию легирующей примеси и размеров ячеек памяти модифицированного ХСП на электрофизические и оптические характеристики материала в активной области и параметры записывающих импульсов. Разработана теория эффектов переключения и памяти, основанная на фазовом переходе стекло-кристалл в ХСП под действием сильного электрического поля. Показано, что в основе эффектов переключения и памяти на основе сложных халькогенидов лежит многофононная туннельная ионизация U минус центров, которая вместе с джоулевым разогревом является причиной S образности вольтамперной характеристики в ХСП. Выработаны рекомендации для изготовления прототипа устройства фазовой памяти на основе сложных халькогенидов.*
