Исследованы модифицированные примесями Be, Cu и Sn сплавы и наноразмерные пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) состава Ge[2]Sb[2]Te[5]. Выявлены основные закономерности по влиянию легирующей примеси и размеров ячеек памяти модифицированного ХСП на электрофизические и оптические характеристики материала в активной области и параметры записывающих импульсов. Разработана теория эффектов переключения и памяти, основанная на фазовом переходе стекло-кристалл в ХСП под действием сильного электрического поля. Показано, что в основе эффектов переключения и памяти на основе сложных халькогенидов лежит многофононная туннельная ионизация U минус центров, которая вместе с джоулевым разогревом является причиной S образности вольтамперной характеристики в ХСП. Выработаны рекомендации для изготовления прототипа устройства фазовой памяти на основе сложных халькогенидов.*