Рассмотрены тонкие пленки оксида цинка. Исследованы методы для восстановления электрических характеристик и увеличения интенсивности фотолюминесценции оксида цинка. Обнаружено значительное (более чем в 100 раз) увеличение интенсивности фотолюминесценции оксида цинка при плазменной обработке в атмосфере водорода. Исследовано изменение электрических свойств образцов ZnO(B) при термическом отжиге на воздухе, показано, что отжиг выше 200{о}С вызывает деградацию электрических характеристик, основной причиной ухудшения характеристик является сильное понижение подвижности свободных носителей при небольшом уменьшении концентрации носителей. Показано, что отжиг в вакууме при температурах *500{о}С исследованных образцов ZnO(B) в значительной мере восстанавливает электрические характеристики образцов ZnO. Зарегистрировано изменение оптического поглощения в области вблизи края фундаментального поглощения при термическом отжиге на воздухе при температурах от 200 до 350{о}С. При энергии фотона, соответствующей величине запрещенной зоны, интенсивность оптического поглощения образцов ZnO(B) растет при увеличении температуры отжига. Наблюдается смещение края фундаментального поглощения в длинноволновую область на *0.05 эВ.*