Проведено моделирование электрических процессов в полупроводниковых схемах. Разработаны физико-математическая модель транзистора, учитывающая одновременное действие температуры и радиации, алгоритм расчета вольт-амперной характеристики. Модель может быть использована при проектировании электронных схем, предназначенных для работы в экстремальных климатических условиях, при действии радиации.