Исследование наноструктурированных эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенных на подложках с металлическим типом проводимости для создания фотопреобразователей и твердотельных СВЧ-устройств
Full Name of the work head: Лаврищев О.А.
Исполнители проекта: Манаков С.М.*
: Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики при КазНУ им. аль-Фараби
Inventory number: 0214РК00661
Registration number: 0113РК00401
Keywords: арсенид галлия*тонкопленочные структуры*молекулярно-пучковая эпитаксия*интерметаллиды*фотопреобразователь*
Исследованы наноструктурированные эпитаксиальные пленки арсенида галлия, выращенные на подложках с металлическим типом проводимости, для создания фотопреобразователей и твердотельных СВЧ-устройств. На установке молекулярно-пучковой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои арсенида галлия на подложках из антимонида никеля, исследована морфология поверхности полученных пленок, их структурные и микроскопические свойства. С использованием методов комбинационного рассеяния света, оптической и атомно-силовой микроскопии и рентгеноструктурного анализа проанализировано качество эпитаксиальных слоев GaAs и выполнена оптимизация технологии их выращивания. Рентгенограммы изготовленных образцов подтверждают, что полученные гетероэпитаксиальные слои являются монокристаллическими.*
