Разработка и исследование процессов создания нанопористых материалов на основе структур SiO[2]/Si, Si[3]N[4]/Si для систем микро-, опто- и наноэлектроники методом вытравливания треков ионов
Full Name of the work head: Сыдыков Е.Б.
Исполнители проекта: Даулетбекова А.К.*
: Евразийский национальный университет им. Л.Н.Гумилева
Inventory number: 0214РК01047
Registration number: 0113РК01003
Keywords: Ионное облучение*трек*нанопористый материал*модель термического пика*диэлектрики*
Новым результатом является использование нового критерия - радиуса расплавленной области, образующейся вдоль траектории иона - для оценки возможности формирования нанопористых слоев диоксида кремния и нитрида кремния при облучении быстрыми ионами. Обнаружен в спектрах фотолюминесценции оксидных слоев, облученных высокими флюэнсами ионов ксенона с энергией 133 МэВ, интенсивных полос в видимом диапазоне. Предварительно мы связываем их с формированием обогащенных кремнием нанокластеров в области ионных треков. Отработана методика вытравливания ионных треков путем обработки в 4 %-ном водном растворе фтористоводородной кислоты, исследована морфология поверхности химически обработанных образцов SiO[2]/Si, определены плотность и диаметры пор, вытравленных на месте ионных треков, а также их зависимость от времени обработки в растворе кислоты.*