Исследованы тонкие пленки смешанного сульфида ZnIn[2]S[4], допированного атомами меди, осажденных из смешанных тиомочевинных координационных соединений. Получена количественная оценка снижения концентрации дырок в легированных образцах на основе температурных зависимостей коэффициентов термоэдс, электро- и теплопроводности пленок. Обнаружены два эффекта дополнительного роста холловской концентрации в области несобственной проводимости, определяющие особенности термоэлектрических свойств ZnIn[2]S[4], легированного атомами меди. Предварительные результаты, полученные для образца ZnIn[2]S[4]:0,6 ат % Cu, позволяют полагать, что примесные состояния при повышенных температурах находятся в той же области энергий, что и зонные. Установлено влияние примеси меди в ZnIn[2]S[4] электропроводность пленок. Найдено, что увеличение содержания меди увеличивает электропроводимость пленок ZnIn[2]S[4]:Сu. Так, при 300 К электропроводимость пленки снижается со значения 10{-5} Ом{-1} см{-1} до 10{-11} Ом{-1} см{-1] (соотношение Cu:Zn = 4:6 и 1:9). Найдено, что в отсутствии меди в системе объем элементарной ячейки принимает максимальное значение (0,3400 нм); введение меди в структуру ZnIn[2]S[4] снижает объем ячейки до 0,3385 нм{3] при мольном соотношении Cu:Zn равном 1:5,5 и выше. Атомы цинка замещают атомы меди в структуре халькопирита, при этом образуются тетраэдрические пустоты. Количество пустот пропорционально количеству внедренных атомов цинка в структуру смешанного сульфида меди. *