Разработана технология обнаружения дипольных радиационных галогенных дефектов, в состав которых входят вакансионные релаксаторы, вносящие основной вклад в ионную проводимость и токи термостимулированной деполяризации, и эффективности образования Х{-}[3]-центров в щелочногалоидных кристаллах (ЩГК). На основе абсорбционной и термоактивационной спектроскопии исследована эффективность образования Х{-}[3] центров в ЩГК в поле точечных дефектов. Разработан и запатентован специальный криостат, позволяющий деформировать ЩГК при различных температурах и осуществлять регистрацию их абсорбционных и термоактивационных характеристик. Разработана абсорбционная методика по регистрации дипольных радиационных галогенных дефектов вакансионного происхождения в ЩГК при понижении симметрии решетки. Разработана технология выращивания ЩГК, активированных различными концентрациями катионов-гомологов и сверхчистых кристаллов методом многократной перекристаллизации. Экспериментальными методами показано, что пластическая деформация в ЩГК преимущественно генерирует одиночные дивакансии, которые являются основой элементарного дипольного тока. В ЩГК по механизму создания радиационных дефектов установлено, что в поле дивакансий, генерируемые пластической деформацией, в отличие от понижения симметрии решетки одновалентными легкими катионами-гомологами (Li, Na) эффективнее создаются Х{-}[3] центры. *