Рассмотрены определеные оптимальные условия формирования нитридных, карбонитридных, алмазоподобных и графитоподобных покрытий на поверхности буровых наконечников различными способами осаждения (катодное распыление, термическое напыление, магнетронное распыление, ионно-лучевая технология и т.д.). Исследованы фундаментальные свойства этих покрытий для использования их в горнодобывающей, нефтегазовой и других отраслях экономики. Cоздана многофункциональная установка катодного распыления с уникальными техническими возможностями, способной синтезировать различные нанокристаллические структуры с заданными размерами. Показано, что доля количества слабых удлиненных и сильных укороченных Si-C-связей аморфной фазы по отношению к количеству укороченных Si-C-связей на поверхности мелких нанокристаллов и тетраэдрических Si-C-связей кристаллической фазы (степень кристалличности) после высокотемпературного отжига (1150-1400С) слоев составляет 35/65 (SiC[0,95], 1150С), 35/65 (SiC[0,7], 1250С), 25/75 (SiC[0,4], 1200С), 35/65 (SiC[0,12], 1300С) процентов, соответственно. Карбидные, нитридные, карбонитридные и алмазоподобные пленки, полученные методом термического напыления, катодным распылением, высокотемпературным синтезом, ионной имплантацией, магнетронным распылением не подвержены отслойке от поверхности матрицы, что увеличивает их эффективность и высокую стабильность их характеристик. *