Исследованы тонкие слои SiC[x] с высокой концентрацией углерода, полученные методом ионной имплантации и ионно-лучевого распыления. Рассмотрены закономерности по влиянию формы профиля, дозы ионов и глубины залегания имплантированного углерода на состав, процессы кристаллизации, структуру слоев SiC[x], синтезированных ионной имплантацией либо ионно-лучевым распылением, подвергнутых термической и плазменной обработке. Исследовано влияние ориентации подложки на структуру, фазовый состав, процессы кристаллизации и формирование тетраэдрических Si-C-связей в слоях SiC[0.7}, синтезированных в кремнии с ориентацией (111) и (100), после имплантации и отжига при температурах 200-14000С. Исследованы состав, структура, плотность, кристалличность и сравниваются параметры тонких приповерхностных слоев кремния, имплантированных ионами углерода. Выполнено моделирование слоистой структуры имплантированных слоев с оценкой их толщин, плотности и шероховатости. Показано различие в кластерном составе слоев SiC[0,7], сформированных ионной имплантацией в подложках кремния с различной ориентацией (100) и (111), приводящее к увеличению температуры кристаллизации карбида кремния в Si(111). Выполнено математическое разложение ИК-спектров поглощения пленок SiC, полученных имплантацией в кремний ориентации (100) ионов. Пленки SiC, полученные методом ионной имплантации, не подвержены отслойке от поверхности матрицы, что увеличивает их эффективность в сравнении с осажденными пленками.*