Исследованы фундаментальные свойства нанокристаллов кремния, сформированных в матрице оксида и диоксида кремния ионно-лучевой технологией и магнетронным распылением. Методом ионно-лучевого распыления были получены слои обогащенных кремнием оксидов кремния в атмосфере Ar 100%. Разработана золь-гель технология приготовления, нанесения и термодеструкция пленкообразующих растворов. Показано, что при осаждении ионно-лучевым методом можно получить слой оксида кремния в атмосфере Ar-O[2] (50%-50%) толщиной 1,5-2,0 нм в течение 0,7-0,9 минут и пленки SiO[x] толщиной 98 нм в течение 45,4 минут для пассивации разорванных связей атомов кремния на поверхности n-р-перехода под/между контактами, соответственно, без заметного увеличения контактного сопротивления, для подавления скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда и увеличения КПД солнечного элемента. Проводятся лабораторные научные исследования. В технологию производства солнечных элементов внедряется реализованный ионно-лучевой способ получения пленок диоксида кремния для пассивации разорванных связей атомов кремния на поверхности n-р-перехода, а также реализованный высокочувствительный метод измерения толщин обогащенных кремнием пленок диоксида кремния нанометрового диапазона с одновременным точным определением плотности пленок по величине критического угла полного внешнего отражения рентгеновских лучей.*