Исследованы легированные и нелегированные тонкие пленки CdS, осажденные на Si подложку методом пиролиза аэрозоля и химического осаждения из унитиолатных координационных соединений. Найдена зависимость спектральной чувствительности (СЧ) полученных гетероструктур CdS:Si от способа осаждения тонких пленок CdS на Si подложку (химическое осаждение в ванне и пиролиз аэрозоля). Для гетероструктур, полученных методом пиролиза аэрозоля, показано, что на зависимости СЧ от длины волны имеется два максимума, со сменой знака: в коротковолновой области при 510 нм и в длинноволновой области при 1230 нм. Сделан вывод о том, что пик при 510 нм вызван генерацией и разделением неравновесных носителей в области изотипного перехода, а увеличение СЧ после смены знака связано с тем, что имеет место разделение неравновесных носителей n -CdS - p-Si гетероструктуры. Зависимости СЧ от длины волны для гетероструктур, полученных пиролизом аэрозоля, имеют схожий вид. Однако положение обоих максимумов сдвигается в длинноволновую область, а значение СЧ выше на 10-12%. Это объяснено образованием большего число дефектов структуры при пиролизе. Получены вольтамперные характеристики синтезированных пленок. Обнаружено, что ток короткого замыкания снижается с увеличением концентрации ионов натрия в прекурсоре и лежит в диапазоне 1,5-2,8 мА/см2. Напряжение холостого хода растет с увеличением концентрации Na+ в прекурсоре и лежит в диапазоне 280-370 мВ. Максимум фототока варьирует от 5,5 до 13 мкА и возрастает с увеличением содержания хлора и натрия в пленке. Разработаны методики синтеза тонких пленок CdS из унитиолатных координационных соединений.*