Разработка технологии управления физическими свойствами щелочногалоидных и сверхпроводящих материалов при понижении симметрии решетки
Full Name of the work head: Кенжебаев К.К.
Исполнители проекта: Шункеев К.Ш.*
: Актюбинский региональный государственный университет им. К.Жубанова
Inventory number: 0214РК02595
Registration number: 0113РК00953
Keywords: щелочногалоидный кристалл*деформация*люминесценция*электронное возбуждение*сверхпроводник*джозефсоновская структура*
Разработан механизм усиления квантового выхода люминисценции путем сборки электронно-дырочных пар в экситоноподобное состояние в хлоридах и бромидах калия, активированные легкими катионами-гомологами. Методами абсорбционной, люминесцентной и термоактивационной спектроскопии и континуального приближения построен адиабатический потенциал автолокализованного экситона в щелочногалоидных кристаллах с учетом одновременного воздействия одноосной деформации и температуры. Установлены основные закономерности излучательной аннигиляции электронных возбуждений в щелочногалоидных кристаллов, позволяющие управлять их физическими свойствами. Представлен подход возникновения псевдощелевого состояния в купратных высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТСП) (типа YBa2Cu3O6,85 и Bi1,6Pb0,4Sr1,8Ca2,2Cu3O10), связанный с флуктуационными явлениями, проявляющимися при температуре выше критической. Вычислены температурные зависимости псевдощели и избыточного тока в купратных ВТСП на основе модели локальных пар.*