Создана экспериментальная линия по получению переходных слоев на металлических подложках методом CVD, MOCVD иPLD. Для синтеза графенов была собрана установка CVD состаящая из кварцевого трубчатого реактора расположенного в высокотемпературной тубулярной печи, вакуумных комплектующих и системы подачи газов. Исследована зависимость количества подаваемых газовых смесей на CVD процесс образования графеновых слоев на никелевой и медной подложках. Совместно с Университетом Хьюстона разработан метод безопасного разделения слоя графена от подложки. Для синтеза слоев оксида иттрия была собрана установка MOCVD. Также слои оксида иттрия наносились на установке пульсирующего лазерного осаждения PLD. Успешно получена гетероструктурная подложка Y[2]O[3]/графен/медь. Магнетронное осаждение AlN показало формирование относительно гладкой равномерной поверхности покрытия. Структурный анализ гетероструктуры AlN/Y[2]O[3]/графен/медь определил слабый пик характерный для AlN (0001). Низкая интенсивность пика нитрида алюминия связана с низкой температурой осаждения. Планируется использовать полученную подложку для роста нитридных структур и сборки сверх ярких белых светодиодов.*