Синтез и исследование оксидных полупроводников и кремниевых подложек низкой стоимости для фотоэнергетики
Full Name of the work head: Токмолдин С.Ж.
Исполнители проекта: Мукашев Б.Н.*
: Физико-технический институт
Inventory number: 0214РК00485
Registration number: 0112РК00938
Keywords: фотоэлектрические преобразователи*солнечный кремний*металлооксидные полупроводники*полупроводники*
Разработан и изготовлен микрореактор для гидротермального осаждения нанопленок оксидов металлов. Отработаны режимы синтеза материалов, позволяющие получать образцы с воспроизводимой морфологией на затравочных слоях, полученных золь-гель технологией и ионно-лучевым осаждением. Выявлено, что основными примесями, влияющими на электрофизические свойства кремния и КПД солнечных элементов являются примеси переходных металлов, такие как Ti и Fe. Разработан метод экспрессной обработки параметров созданных пленок, используя результаты измерений атомно-силового микроскопа. Проведена компьютерная обработка данных АСМ пленок ZnO с различной концентрацией ионов в пленкообразующем растворе, синтезированных золь-гель методом. Выполнены исследования, позволяющие получать кремний "солнечного качества". Проведены теоретические расчеты электрофизических параметров пластин слитков кремния для ФЭП, которые подтверждены экспериментальными данными электрофизические данные по длине слитка кремния. Получены фотопреобразователи с КПД 15,8-17,1 %. Даны рекомендации по использованию очищенного металлургического кремния, тонкопленочных оксидных покрытий и структур "оксиды металла - кремний" в фотоэнергетике. Предложены лабораторные образцы фотопреобразователей с эффективностью до 17 % на основе кремния "солнечного" качества.*