Исследование свойств монокристаллических и неупорядоченных полупроводников
Full Name of the work head: Антощенко В.С.
Исполнители проекта: В.С.Антощенко
: НИИ эксперим.и теорет.физ.при КазГУ
Inventory number: 0297РК00966
Registration number: 0197РК00230
Keywords: полупроводники, подложки, растворение, ориентация, влияние,
Объект исследования: полупроводниковые кристаллы А3В5, в частности GaAs и GaP. Изучено влияние ориентации подложек на характеристики растворения GaAs и GaP расплавами Sn(Bi)-Al. Получены данные по анизотропии растворения подложек с ориентацией (100), (110) и (111)А, В. Проведено компьютерное моделирование процесса растворения подложек (100)GaВ5. Минимизирована степень деградации затравочных подложек при отделяемом росте свободных монокристаллических пленок GaB5.
